Prinsip kerja peralatan salutan ion vakum

Peralatan penyaduran ion vakum adalah peranti yang menggunakan medan elektrik voltan tinggi untuk mempercepat rasuk ion dan menjadikannya memukul permukaan objek, dengan itu membentuk filem nipis. Prinsip kerjanya boleh dibahagikan kepada tiga bahagian, iaitu sistem vakum, sumber ion dan sasaran.
1. Sistem vakum
Vakum adalah keadaan asas untuk operasi peralatan penyaduran ion, dan tiga faktor tindak balasnya adalah tekanan, suhu dan ketepuan. Untuk memastikan ketepatan dan kestabilan tindak balas, keperluan vakum sangat tinggi. Oleh itu, sistem vakum adalah salah satu bahagian utama peralatan penyaduran ion.
Sistem vakum terutamanya terdiri daripada empat bahagian: sistem pam, sistem pengesanan tekanan, sistem sandaran gas dan sistem pencegahan kebocoran. Sistem pengekstrakan udara boleh mengekstrak gas dalam peralatan untuk mencapai keadaan vakum. Tetapi ini memerlukan sistem paip yang kompleks dan pelbagai pam vakum, termasuk pam mekanikal, pam penyebaran, pam molekul, dll.
Sistem pengesanan tekanan dapat mengesan tekanan dalam ruang vakum dalam masa nyata dan menyesuaikannya mengikut data. Sekiranya kebocoran, sistem sandaran gas boleh digunakan untuk membuat vakum dengan cepat. Sistem anti-leakage boleh menghalang berlakunya kebocoran, seperti pengedap di antara bahagian peralatan dan bahagian peralatan saluran paip pengekstrakan, penutupan dan pembukaan injap, dll.
2. Sumber ion
Sumber ion adalah sebahagian daripada peralatan penyaduran ion yang menghasilkan rasuk ion. Sumber ion boleh dibahagikan kepada dua kategori: sumber pukal dan sumber salutan. Sumber pukal menghasilkan rasuk ion seragam, sementara sumber salutan digunakan untuk mencipta filem nipis bahan -bahan tertentu. Dalam ruang vakum, generasi ion biasanya dicapai menggunakan pelepasan plasma yang teruja. Pelepasan yang disebabkan oleh plasma termasuk pelepasan arka, pelepasan DC dan pelepasan frekuensi radio.
Sumber ion biasanya terdiri daripada elektrod cerium, anod, ruang sumber ion dan ruang sumber salutan. Antaranya, ruang sumber ion adalah badan utama badan ion, dan ion dihasilkan di dalam ruang vakum. Ruang sumber salutan biasanya meletakkan sasaran yang kukuh, dan rasuk ion membombardir sasaran untuk menghasilkan reaksi untuk menyediakan filem nipis.
3. Sasaran
Sasarannya adalah asas bahan untuk membentuk filem nipis dalam peralatan penyaduran ion. Bahan sasaran boleh menjadi pelbagai bahan, seperti logam, oksida, nitrida, karbida, dan lain -lain. Sasarannya bertindak secara kimia oleh pengeboman dengan ion untuk membentuk filem nipis. Peralatan penyaduran ion biasanya mengamalkan proses penukaran sasaran untuk mengelakkan memakai sasaran pramatang.
Apabila menyediakan filem nipis, sasaran akan dibombardir oleh rasuk ion, menyebabkan molekul permukaan secara beransur -ansur volatilizer dan memadamkan ke dalam filem nipis di permukaan substrat. Kerana ion boleh menghasilkan tindak balas pengurangan pengoksidaan fizikal, gas seperti oksigen dan nitrogen juga boleh ditambah ke rasuk ion untuk mengawal proses tindak balas kimia apabila menyediakan filem nipis.
Meringkaskan
Peralatan penyaduran ion vakum adalah sejenis peralatan yang membentuk moire melalui reaksi ion. Prinsip kerjanya terutamanya termasuk sistem vakum, sumber ion dan sasaran. Sumber ion menghasilkan rasuk ion, mempercepatkannya ke kelajuan tertentu, dan kemudian membentuk filem nipis di permukaan substrat melalui reaksi kimia sasaran. Dengan mengawal proses tindak balas antara rasuk ion dan bahan sasaran, pelbagai tindak balas kimia boleh digunakan untuk menyediakan filem nipis.